Si + H2O ALD

[Quinolin'ka]

Уважаемые коллеги химики-неорганики, подскажите пожалуйста, насколько полно реагирует кремний с подложки с молекулами воды в установке ALD (Atomic layer deposition)? В результате реакции на поверхности образуются -ОН группы.

[Iskander]

Ну, дык анализировать надоть...

По общей эрудиции - вершины кристаллов однозначно окисляются, а вот рёбра и грани - уже не уверен. Исходя из этого, если не проводится специальная активация в довольно жёстких условиях (свежая пиранья 1:1), то количество активных ОН-групп невелико.

[Quinolin'ka]

Ну, дык анализировать надоть...

По общей эрудиции - вершины кристаллов однозначно окисляются, а вот рёбра и грани - уже не уверен. Исходя из этого, если не проводится специальная активация в довольно жёстких условиях (свежая пиранья 1:1), то количество активных ОН-групп невелико.

Первый этап - впрыск небольшого (микроскопического) количества воды на подложку, разогретую до 80С. И после этого уже начинает пылиться металлорганика. По данным эллипсометра, слои получаются достаточно плотные, не такие рыхлые как после TFE, но пористость всё равно есть в районе 20%. Вот и возник вопрос, а насколько "густо" заселена поверхность кремния гидроксильными группами. То есть никакого окислителя типа озона там нет.

[Iskander]

Думаю, что при 80 градусах вода кремнию глубоко безразлична. Разница может быть только за счёт сорбции воды, без протекания реакций.
Попробуйте мокрое окисление кремниевой подложки, хотя бы той же пираньей.

[Quinolin'ka]

Думаю, что при 80 градусах вода кремнию глубоко безразлична. Разница может быть только за счёт сорбции воды, без протекания реакций.
Попробуйте мокрое окисление кремниевой подложки, хотя бы той же пираньей.

Нельзя ни окислитель, ни большую температуру, которая описана в литературе, органика окислится (((

[Iskander]

Обработайте подложку ДО помещения её в установку ALD.

Или важно отсутствие кислорода на кремнии?