Kirk effect mechanism in type-II InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors
N.G. Tao, C.R. Bolognesi
J. Appl. Phys., Vol. 102, Issue 6, pp.064511, September 2007
Код: Выделить всё
http://dx.doi.org/10.1063/1.2783764+++ J. Appl. Phys
+++ J. Appl. Phys
Уважаемые коллеги, Пожалуйста помогите мне с этой статьей:
Kirk effect mechanism in type-II InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors
N.G. Tao, C.R. Bolognesi
J. Appl. Phys., Vol. 102, Issue 6, pp.064511, September 2007
Заранее спасибо.
Kirk effect mechanism in type-II InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors
N.G. Tao, C.R. Bolognesi
J. Appl. Phys., Vol. 102, Issue 6, pp.064511, September 2007
Последний раз редактировалось Ati Сб май 09, 2009 10:30 pm, всего редактировалось 1 раз.
Re: J. Appl. Phys
вот... 
Re: J. Appl. Phys
Спасибо.
Кто сейчас на конференции
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 24 гостя