R. Knizikevičius
ENHANCEMENT OF SILICON ETCHING RATE IN XEF2 AMBIENT IN THE PRESENCE OF ACTIVATED POLYMER
Applied Surface Science, 2004, Volume 228, Issues 1-4, pages 227-232
- DOI:
http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.01.016
http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2004.01.016
Сейчас этот форум просматривают: Google [Bot], Majestic-12 [Bot] и 15 гостей