+++Ing(1)IEEE(2)PAC(1)

[kms]

Здравствуйте, коллеги химики! Пожалуйста, помогите прочитать эти статьи

(1). Wallis K.L., e.a. - Stacking faults in SiC nanowires. // Journal of Nanoscience and Nanotechnology. 2008. V. 8., N. 7. P. 3504 - 3510.

Код: Выделить всё

http://dx.doi.org/10.1166/jnn.2008.163

(2). Hu M., Ng V.M., Huang S.Y., Long J.D., Xu S. - Growth of SiC nanoparticle films by means of RF magnetron sputtering. // IEEE Transactions on Plasma Science. 2005. V. 33. N. 2. Part. 1. P. 242 - 243.

Код: Выделить всё

http://dx.doi.org/10.1109/TPS.2005.845339

(3). Chung C.K., Wu B.H. - Reaction of carbon and silicon at high temperature deposition. // 3rd IEEE International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems. (NEMS-2008). 2008. P. 136 - 139.

Код: Выделить всё

http://dx.doi.org/10.1109/NEMS.2008.4484304

(4). Lim K.S., Shevaleevskiy O. Nanocrystalline silicon carbide films for solar photovoltaics: The role of dangling-bond defects. // Pure and Applied Chemistry. 2008. V. 80. N. 10. P. 2141 - 2150.

Код: Выделить всё

http://dx.doi.org/10.1351/pac200880102141

[VOVAN CIR]

для 3 ДОИ - кривой

[kms]

Большое спасибо за статьи !


Не могу понять, почему DOI не работает, в написании ошибки нет.
Может получится c PDF.

Код: Выделить всё

http://ieeexplore.ieee.org/stamp/stamp.jsp?arnumber=4484304&isnumber=4484266

[VOVAN CIR]

вот

[kms]

Ещё раз большое спасибо!!!