Новости химической науки > рост полупроводникового нанопровода на затравке нанокристалла висмута

Американские химики Dayne D. Fanfair и Brian A. Korgel из Центра нано- и молекулярной науки и технологий Техасского института Материалов (Университет Техаса в Остине) сообщили об успешном проведении эксперимента по контролируемому выращиванию нанопроводов, обладающих полупроводниковыми свойствами.

В ходе плановых лабораторных исследований полупроводники на основе фосфида и арсенида индия и галлия были получены в виде нанопроводов при температуре синтеза от 300 до 340°C в среде триоктилфосфиноксида и триоктиламина.

электронно-микроскопический снимок высокого разрешения: фрагмент поверхности полупроводникового нанопровода

Для получения таких нанопроводов в качестве затравок были использованы нанокристаллы висмута. Формирование тела наночастиц при этом происходило по механизму "раствор-жидкое вещество-твердое вещество" (solutionliquid-solid, SLS). В результате нанокристаллы висмута были обнаружены на фронте роста наночастиц, что подтвердило их особую роль в процессах формирования нанокристаллов.

Полученные наночастицы были охарактеризованы посредством сканирующей электронной микроскопии, трансмисионной электронной микроскопии, энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии и рентгеновской дифракции.

Источник: ACS Crystal Growth&Design