новости бизнеса
компании и предприятия
нефтехимические компании
продукция / логистика
торговый центр
ChemIndex
новости науки
работа для химиков
химические выставки
лабораторное оборудование
химические реактивы
расширенный поиск
каталог ресурсов
электронный справочник
авторефераты
форум химиков
подписка / опросы
проекты / о нас


контакты
поиск
   

Новости химической науки > нанолегирование


22.9.2005
эту статью еще не оценивали Подписаться на RSS

Широкое использование полупроводников в различных устройствах основано на возможности изменять концентрацию носителей заряда (электронов или дырок) путем легирования – введения примесных атомов. Бурное развитие наноэлектроники ставит вопрос о разработке способов контроля физико-химических свойств полупроводниковых наноструктур.


Казалось бы, осуществить это можно за счет все того же легирования. Однако наночастицы “сопротивляются” добавлению в них примесей: с одной стороны, имеют место процессы “самоочищения” нанокристаллов от примесей, а с другой – если примеси и удается внедрить, они сильно искажают кристаллическую структуру в своей окрестности, что приводит к деградации электрических и магнитных характеристик нанокристаллов.


Сотрудники Naval Research Laboratory и Department of Chemical Engineering & Materials Science, University of Minnesota (США) в работе, опубликованной в Nature 436, 91-94, показали, что проблемы с нанолегированием обусловлены фундаментальным различием механизмов, регулирующих включение примесей в объемные материалы и в наночастицы. Если в макроскопических твердых телах ключевую роль играют термодинамические соображения (именно они, в частности, накладывают ограничения на предельную равновесную концентрацию примесей), то в наноструктурах все определяется кинетикой, и в первую очередь – поверхностной кинетикой.





Нанокристаллы


Согласно развитой авторами теории (и подтвержденной ими же экспериментально), примесь может попасть внутрь нанокристалла только в том случае, если она способна закрепиться на его поверхности в течение времени, достаточного для формирования нового поверхностного слоя. Поэтому, в отличие от объемных образцов, на первый план выходит не равновесная термическая диффузия примесных атомов, а сила их сцепления с теми или иными гранями растущего нанокристалла, которая количественно характеризуется величиной энергии связи.


Основываясь на результатах своих расчетов и варьируя соответствующим образом ориентацию граней (путем изменения химического состава раствора), авторы изготовили нанокристаллы CdSe, легированные марганцем, чего ранее сделать никому не удавалось.


Указанная работа открывает путь к созданию огромного числа новых типов полупроводниковых наноструктур для самых различных приложений – от солнечных батарей до спинтроники.


Источник: Перст

Комментарии к статье:
Ваше имя
Ваш e-mail, чтобы следить за обсуждением
   
Комментарий

Символ пятого P-элемента в табл. Менделеева
(латиницей, одной заглавной буквой):
   
 


Вы читаете текст статьи "нанолегирование"
Перепечатка статьи разрешается при условии размещения активной гиперссылки на ChemPort.Ru

Все новости



Новости компаний

Все новости


© ChemPort.Ru, MMII-MMXX
Контактная информация