новости бизнеса
компании и предприятия
нефтехимические компании
продукция / логистика
тендеры / аналитика
торговый центр
ChemIndex
новости науки
работа для химиков
химические выставки
лабораторное оборудование
химические реактивы

расширенный поиск
каталог ресурсов
электронный справочник
авторефераты / книги
форум химиков
подписка / опросы
проекты / о нас

реклама на сайте
контакты
Магазин химических реактивов
поиск
   

главная > справочник > химическая энциклопедия:

Фотолитография


выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Фотолитография, способ формирования рельефного покрытия заданной конфигурации с помощью фоторезистов. фотолитография обычно включает: 1) нанесение фоторезиста на металл. диэлектрик или полупроводник методами центрифугирования. напыления или возгонки; 2) сушку фоторезиста при 90-110 0C для улучшения его адгезии к подложке; 3) экспонирование фоторезиста видимым или УФ излучением через фотошаблон (стекло, кварц и др.) с заданным рисунком для формирования скрытого изображения; осуществляется с помощью ртутных ламп (при контактном способе экспонирования) или лазеров (гл. обр. при проекц. способе); 4) проявление (визуализацию) скрытого изображения Путем удаления фоторезиста с облученного (позитивное изображение) или необлученного (негативное) участка слоя вымыванием водно-щелочными и орг. растворителями либо возгонкой в плазме высокочастотного разряда; 5) термич. обработку (дубление) полученного рельефного покрытия (маски) при 100-200 0C для увеличения его стойкости при травлении; б) травление участков своб. поверхности травителями кислотного типа (напр., на основе HF, NH4F или CH3COOH) или сухими методами (напр., галогенсодержащей плазмой); 7) удаление маски растворителями или выжиганием кислородной плазмой. Масштаб передачи рисунка фотошаблона обычно 1:1 или 5:1 и 10:1 (при проекц. способе экспонирования).

При изготовлении интегральных схем процесс повторяют многократно на разл. технол. слоях материала и при этом каждый послед. рисунок должен быть совмещен с предыдущим.

Часто для придания фоторезистному покрытию специфич. свойств (повышение стойкости к травителям, уменьшение отражения излучения от подложки, планаризация рельефа и др.) формируют многослойные покрытия, в которых один из слоев, обычно верхний, является собственно фоторезистом, а остальные имеют вспомогат. функции. Двухслойное покрытие м. б. сформировано и в однослойном фоторезисте путем локальной хим. модификации поверхности.

Разновидности фотолитографии: т. наз. взрывная (для получения рисунка на пленках металл.) и инверсионная (для получения профиля изображения с отрицат. наклоном стенок). В первом случае рисунок получается путем напыления слоя металл. на пластину с проявленным фоторезистом, а при снятии фоторезиста удаляют часть металл.ч. слоя, осевшего на маску; во втором - на позитивном фоторезисте получают негативный рисунок.

Осн. требования к фотолитографии: высокая разрешающая способность, минимально привносимая дефектность и большая производительность, которые определяются обычно свойствами фоторезистов. параметрами фотолитографич. оборудования и чистотой технол. помещений.

Вместе с др. видами микролитографии - электроно-, рентгено- и ионолитографией (соотв. экспонирование потоком электронов, рентгеновскими лучами и ионами легких элементов) - фотолитография является одним из методов планарной технологии и применяется для изготовления интегральных микросхем, печатных плат, запоминающих устройств, высокочастотных приборов и др.

Лит.: M о r о У., Микролитография, пер. с англ., M., 1990. См. также лит. при ст. Планарная технология. © Г.К. Селиванов.




выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


Все новости



Новости компаний

Все новости


© ChemPort.Ru, MMII-MMXVII
Контактная информация