новости бизнеса
компании и предприятия
нефтехимические компании
продукция / логистика
тендеры / аналитика
торговый центр
ChemIndex
новости науки
работа для химиков
химические выставки
лабораторное оборудование
химические реактивы

расширенный поиск
каталог ресурсов
электронный справочник
авторефераты / книги
форум химиков
подписка / опросы
проекты / о нас

реклама на сайте
контакты
Магазин химических реактивов
поиск
   

главная > справочник > химическая энциклопедия:

Галлия арсенид


выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Галлия арсенид (арсенид галлия) GaAs, темно-серые с фиолетовым оттенком и металлич. блеском кристаллы. решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,565321 нм); т. пл. 1238°С; плота. 5,317 г/м3 (20 °С), жидкого 6,00 г/см3 (1238 °С); С° 46,9 Дж/(моль*К); 105,6 кДж/моль, -74,1 кДж/моль; So298 64,27 Дж/(моль*К); температурный коэф. объемного расширения 5,93-10-6 К-1 (0-252°C; теплопроводность 150Вт/(м*К) при 27 °С; 13,2. Полупроводник. при 27 °С ширина запрещенной зоны 1,428 эВ, подвижность электронов 8500см2/(В*с), дырок 400 см2/(В*с); эффективная масса электронов проводимости те = 0,065m0, дырок mp = 0,5m0 (m0-масса свободного электрона).

Устойчив к кислороду воздуха и парам воды до ~600°С, медленно реагирует с H2SO4 и соляной кислотой с выделением AsH3, под действием HNO3 пассивируется, растворами щелочей разлагается.

Получают GaAs сплавлением Ga с As под давлением паров As (ок. 100 кПа). Монокристаллы выращивают методами зонной плавки. направленной кристаллизации под давлением паров As или вытягиванием по Чохральскому из-под слоя флюса В2О3 под давлением Аг (150 кПа). Эпитаксиальные пленки, а также мелкокристаллич. GaAs получают путем хим. транспортных реакций с Н2 в кач-ве газа-носителя, например:

4GaAs + 4НС1 2GaCl + 4As + 2Н2(900 -> 750 °С)

при этом GaAs получают в горячей зоне (900 °С) по р-ции:

2Ga + 2AsCl3 + 3H2 -> 2GaAs + 6HC1

Используют также процесс Ga(C2H5)3 + AsH3 -> GaAs + 3C2H6 (ок. 700 °C.

Пленки GaAs получают также из его растворов в расплавленном Ga. Для легирования монокристаллов и пленок используют добавки Те. Se, S, Sn, Zn, Cd, Ge. Монокристаллы с высоким р (108-109 Ом*см) получают с использованием добавок Fe или Сr.

Арсенид галлия – один из осн. полупроводниковых материалов для интегральных микросхем, фотоприемников, СВЧ- и фотодиодов, транзисторов, инжекционных лазеров, оптич. фильтров и модуляторов лазерного излучения, солнечных батарей и др.

Лит.: Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, под ред. Ф.П. Касаманлы и Д. Н. Наследова, М., 1973; М ильвидский М. Г., Пелевин О. В., Сахаров Б. А., Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. (На примере арсенида галлия), М., 1974. © П. И. Федоров.


выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


Все новости



Новости компаний

Все новости


© ChemPort.Ru, MMII-MMXVII
Контактная информация