новости бизнеса
компании и предприятия
нефтехимические компании
продукция / логистика
торговый центр
ChemIndex
новости науки
работа для химиков
химические выставки
лабораторное оборудование
химические реактивы
расширенный поиск
каталог ресурсов
электронный справочник
авторефераты
форум химиков
подписка / опросы
проекты / о нас


контакты
поиск
   

главная > справочник > химическая энциклопедия:

Травление


выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Травление химическое, удаление части поверхностного слоя монокристалла. заготовки или изделия с помощью топохимических реакций. Проводится с использованием растворов, расплавов. газов (газовое травление) или активированных газов (например, плазмохимическое травление). Собственно химическое травление иногда сочетают с механическим воздействием, в качестве источника тепла и активатора при газовом травление в ряде случаев используют лазеры.

Обработку поверхности ионными пучками с высокой кинетической энергией в вакууме (ионное, ионно-плазменное травление) и частичную возгонку в вакууме (термическое травление) обычно не относят к химическому травлению

В зависимости от морфологии получаемой поверхности химическое травление может быть выравнивающим (полирующим, шлифующим) и избирательным (селективным). При выравнивающем травление происходит сглаживание рельефа поверхности, уменьшение ее шероховатости, при избирательном травление-увеличение неоднородности поверхности, выявление дефектов структуры, границ двойников и доменов, растравливание трещин, царапин и т.п. Грани монокристаллов с различной ориентацией растворителя с разной скоростью. Поэтому избирательное травление монокристаллов связано с образованием фигур (ямок) травление, форма которых определяется структурой кристалла. ориентацией поверхности, видом дефектов и составом травителя, а количество - плотностью дефектов.

Выравнивающее травление наблюдается обычно при протекании процесса в диффузионной области, а избирательное-в кинетической области. Поэтому изменение температуры, концентрации реагентов, гидродинамической обстановки, введение добавок (в частности, ПАВ) могут изменить характер процесса, который может стать комбинированным, например-с избирательным действием в начальные периоды и выравнивающим в конце процесса. Наряду со сглаживанием рельефа поверхности может происходить образование глубоких, иногда сквозных узких каналов.

травление через защитные маски, нанесенные на поверхность с помощью фотолитографии, с последующим удалением этих масок удается получать профили и детали заданных размеров. Минимальные размеры профилей определяются разрешающей способностью фотолитографии, которая может достигать 1 мкм и менее. Главная трудность-отклонение боковых стенок вытравливаемого профиля от нормали к внешней поверхности - образование клина травление, растворение материала под защитной маской. Геометрия клина травление определяется кристаллической структурой, ориентацией кристалла. размерами и ориентацией не защищенного маской участка поверхности, кинетикой процесса.

Химическое травление проводят с помощью веществ, позволяющих получать хорошо растворимые или (в случае газов) легко летучие продукты. Для травления кремния, кварца. кварцевого стекла и силикатных стекол чаще всего используют водные растворы на основе HF или NH4HF2, для травления металлов - кислоты и их смеси, для плазмохимического травления кремния и кварца.CF4, фторхлоруглероды и др. Наиболее предпочтительны растворы, обладающие буферными свойствами.

Химическое травление применяют в технологии монокристаллов, стекол и поликристаллов (металлов, сплавов, полупроводников и других неорганических материалов) для очистки от окалины и др. поверхностных загрязнений, выявления дефектов структуры и двойников, определения кристаллографической ориентации, удаления нарушенных слоев, придания поверхности определенных свойств (полировка, шлифовка, загрубление, изменение каких-либо характеристик), для повышения механической прочности изделий, для изготовления рельефа или деталей определенной формы, в частности в планарной технологии полупроводниковых приборов, при изготовлении резонаторов, частотных фильтров, хим. сенсоров и т.п.

Лит.: Травление полупроводников, пер. с англ., М., 1965; Амелинкс С., Методы прямого наблюдения дислокаций, пер. с англ., М., 1968; Пшеничников Ю. П., Выявление тонкой структуры кристаллов. Справочник, М., 1974; Хейман Р. Б., Растворение кристаллов. Теория и практика, пер. с нем., Л., 1979; Раков Э. Г., Федоров А. Е., в кн.: Итоги науки и техники, сер. Неорганическая химия, травление 15, М., 1988, с. 120-28. ©Э.Г. Раков.




выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


Все новости



Новости компаний

Все новости


© ChemPort.Ru, MMII-MMXIX
Контактная информация