новости бизнеса
компании и предприятия
нефтехимические компании
продукция / логистика
торговый центр
ChemIndex
новости науки
работа для химиков
химические выставки
лабораторное оборудование
химические реактивы
расширенный поиск
каталог ресурсов
электронный справочник
авторефераты
форум химиков
подписка / опросы
проекты / о нас


контакты
поиск
   

главная > справочник > химическая энциклопедия:

ИНДИЯ ОКСИДЫ


выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

ИНДИЯ ОКСИДЫ. Сесквиоксид In2О3 - светло-желтые или зеленовато-желтые кристаллы с кубич. решеткой (а = 1,01194 нм, z = 16, пространств. группа Ia3): плотн. 7,18 г/см3. Под давлением выше 6,5 ГПа при 300-400 °С образуется модификация с гексаген. решеткой типа корунда, устойчивая при обычном давлении (а = 0,5487 нм, с = 1,4510 нм, z = 6, пространств. группа R3с); плотн. 7,3 г/см3. Т. пл. 1910°С; выше 1200°С начинает возгоняться с диссоциацией на In2O и O2; т. кип. - 3300 °С; p 92 Дж/(моль.К); DH0пл 84 кДж/моль, DH0возг 272 кДж/моль, DH0обр — 926 кДж/моль; S0298 108 Дж/(моль.К); ур-ние температурной зависимости давления пара. lgр(в гПа) = 16,478 - 27791/Т. Полупроводник n-типа, ширина запрещенной зоны 0,5 эВ (300 К). Диамагнитен. Электрич. проводимость зависит от давления О2; при ~ 10 Па наблюдается обратимый переход к металлич. проводимости. In2О3 не раств. в воде. При нагр. легко взаимод. с минер. кислотами, при 300-500°С - с галогенами. При 700-800°С восстанавливается Н2 и С до металла. С аммиаком при 600-630 °С образует InN, при спекании с оксидами и карбонатами металлов - индаты, например NaInO2. Получают In2О3 прокаливанием нитрата или гидроксида In, в виде пленок распылением индия в присутствии О2, термич. разложением паров ацетилацетоната In и др. In2О3 основа прозрачных электропроводящих пленок (обычно легированных SnO2) на стекле, слюде. лавсане и др. материалах, используемых для изготовления жидкокристаллич. дисплеев, электродов фотопроводящих элементов, высокотемпературных топливных элементов, резисторов и др., в смеси с AgO материал электрич. контактов в радиотехнике и электронике; компонент шихты спец. стекол, поглощающих тепловые нейтроны; перспективный полупроводниковый материал. Гемиоксид In2О - черное твердое вещество; т. пл. ~325°С; плотн. 6,99 г/см3; для газа DH0обр — 55 кДж/моль. Легко окисляется; с кислотами реагирует с выделением Н2. М. б. получен (в смеси с In и In2О3) термич. разложением In22О4)3. Пары In2О образуются при нагр. смеси In с In2О3, ур-ние температурной зависимости давления пара. lgp (в гПа) = 10,58 - 13150/T. Соответствующий In2О3 гидроксид In(ОН)3 - бесцв. кристаллы с кубич. решеткой; плотн. 4,33 г/см3. Свежеосажденный гидроксид легко взаимод. с разб. минеральными и некоторыми орг. кислотами. С разб. растворами щелочей, а также с аммиаком не реагирует. С конц. растворами щелочей образует индаты. Выше 200 °С разлагается до In2О3. Получают действием NH3 на растворы In(NO3)3, подкисленные уксусной кислотой. Используют для получения In2О3 и др. соединений In. Лит. см. при ст. Индий. П. И. Федоров.




выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


Все новости



Новости компаний

Все новости


© ChemPort.Ru, MMII-MMXVII
Контактная информация