новости бизнеса
компании и предприятия
нефтехимические компании
продукция / логистика
торговый центр
ChemIndex
новости науки
работа для химиков
химические выставки
лабораторное оборудование
химические реактивы
расширенный поиск
каталог ресурсов
электронный справочник
авторефераты
форум химиков
подписка / опросы
проекты / о нас


контакты
поиск
   

главная > справочник > химическая энциклопедия:

ИНДИЯ ФОСФИД


выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

ИНДИЯ ФОСФИД InP, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,586875 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 1070°С; плотн. 4,787 г/см3; С°p 46,2 Дж/(моль.К); DH0пл 54,6 кДж/моль, DH0обр — 90,3 кДж/моль; 298 62,7 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 4,75.10-6 К-1; теплопроводность 67,2 Вт/(м.К). Полупроводник. e 12,1; ширина запрещенной зоны 1,42 эВ (0 К), 1,28 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,07m0, дырок mр = 0,4m0 (m0 - масса своб. электрона); подвижность электронов 5000 см2/(В.с) при 300 К и 23500 см2/(В.с) при 78 К, подвижность дырок 150 см2/(В.с) при 300 К. Устойчив на воздухе до температуры ~ 300°С. Взаимод. со смесями кислот - HNO3 и HF, HNO3 и соляной. Для травления пов-сти кристаллов индия фосфид с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений используют растворы Вr2 в метаноле. а также смеси H2SO4 с Н2О2 и Н2О. Получают индия фосфид в вакуумированных запаянных кварцевых ампулах взаимод. нагретого до ~850°С расплава In с парами Р, давление которых составляет ~ 500 кПа. Образующийся расплав InP подвергают горизонтальной направленной кристаллизации. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В2О3 в атмосфере инертного газа (Ar, He, N2) при давлении ~ 5000 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: кристаллизацией из раствора InP в расплаве In при 700-750 °С; осаждением из газовой фазы (пары РСl3 пропускают над расплавом In при ~ 800 °С, образовавшиеся при этом пары хлоридов In переносятся в зону осаждения и взаимод. с парами РСl3 или РН3 при 650-700 °С, давая InP, кристаллизующийся на монокристаллич. подложке); методом молекулярно-лучевой эпитаксии (взаимод. мол. пучков In и Р на нагретой до 500-600 °С монокристаллич. подложкe в высоковакуумной камере при давлении ~ 10-9 Па). Для получения полупроводниковых монокристаллов и пленок n-типа в качестве легирующих примесей используют Те, Se, S, Sn, а p-типа - Zn Cd. Для придания монокристаллам полуизолирующих свойств их легируют Fe. индия фосфид - полупроводниковый материал для инжекц. лазеров, светодиодов, СВЧ генераторов, транзисторов, фотоприемников. Лит.: Марина Л. И., Нашельскяй А. Я., Колесник Л. И., Полупроводник.вые фосфиды AIIIBV и твердые растворы на их основе, М., 1974, Мильвидский М. Г., Полупроводник.вые материалы в современной электронике. М., 1986. Cм. также лит. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский.




выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


Все новости



Новости компаний

Все новости


© ChemPort.Ru, MMII-MMXVII
Контактная информация