новости бизнеса
компании и предприятия
нефтехимические компании
продукция / логистика
торговый центр
ChemIndex
новости науки
работа для химиков
химические выставки
лабораторное оборудование
химические реактивы
расширенный поиск
каталог ресурсов
электронный справочник
авторефераты
форум химиков
подписка / опросы
проекты / о нас


контакты
поиск
   

главная > справочник > химическая энциклопедия:

ИНДИЯ АРСЕНИД


выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

ИНДИЯ АРСЕНИД InAs, серые кристаллы с металлич. блеском, решетка кубическая типа сфалерита (а = 0,605886 нм, z = 4, пространств. группа F43m); т. пл. 943 °С; плотн. 5,666 г/см3, жидкого 5,850 г/см3 (970 °С); С0p 49,32 Дж/(моль.К); DH0пл 77,2 кДж/моль, DH0обр -57,9 кДж/молъ. S0298 76 Дж/(моль.К); температурный коэф. линейного расширения 5,19.10-6 К-1; теплопроводность 122 Вт/(м.К). Полупроводник. e 11,7; ширина запрещенной зоны 0,43 эВ (0 К), 0,46 эВ (300 К); эффективная масса электронов проводимости те = 0,22m0, дырок mр = 0,33m0 (m0 - масса своб. электрона); подвижность электронов 3,4.104 см2/(В.с) при 300 К и 8,2.104 см2/(В.с) при 77 К, подвижность дырок 460 см2/(В.с) при 300 К и 690 см2/(В.с) при 77 К. индия арсенид устойчив на воздухе и в парах воды до ~ 300 °С. Взаимод. с конц. соляной и серной кислотами, водными растворами сильных окислителей (напр., Н2О2), смесями азотной, фтористоводородной и уксусной кислот, а также азотной и соляной кислот с Н2О2. Эти смеси используют для травления пов-сти кристаллов индия арсенид с целью обнаружения дефектов и удаления загрязнений. Получают индия арсенид в кварцевых ампулах взаимод. расплава In с парами As, давление которых составляет 32,7 кПа при 800-900 °С. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского вытягиванием из-под слоя флюса жидкого В2О3 в атмосфере инертного газа (Аr, Не, N2) при давлении 40-50 кПа (осн. способ), направленной кристаллизацией из расплава при давлении паров As 32,7 кПа. Эпитаксиальные пленки получают: осаждением из раствора InAs в расплаве In при 650-700 °С; осаждением из газовой фазы: пары AsCl3 или НС1 пропускают над расплавом In, образовавшиеся при этом хлориды In переносятся в зону реакции и взаимод. с парами AsCl3 или AsH3 при 700 °С, давая InAs; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (р-цией мол. пучков In и As в вакууме 10 Па с послед. осаждением на нагретую до 400-500 °С подложку). Для получения монокристаллов и пленок со свойствами полупроводников n- или р-типа используют добавки соотв. Те, Se, Sn или Zn, Cd, Mn. индия арсенид - полупроводникoвый материал для фотоприемников ИК излучения, датчиков эффекта Холла. Лит. см. при ст. Индия антимонид. М. Г. Мильвидский.




выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


Все новости



Новости компаний

Все новости


© ChemPort.Ru, MMII-MMXVII
Контактная информация