новости бизнеса
компании и предприятия
нефтехимические компании
продукция / логистика
торговый центр
ChemIndex
новости науки
работа для химиков
химические выставки
лабораторное оборудование
химические реактивы
расширенный поиск
каталог ресурсов
электронный справочник
авторефераты
форум химиков
подписка / опросы
проекты / о нас


контакты
поиск
   

главная > справочник > химическая энциклопедия:

ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ


выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

ГАЛЛИЯ ОКСИДЫ. Сесквиоксид Ga2O3-белые кристаллы. Наиб. устойчива р-модификация с моноклинной решеткой типа А12О3 (a = 1,223нм, b = 0,304 нм, с = = 0,508 нм, 103,7°, z = 4, пространств. группа С2/m); т. пл. 1725°С; плотн. 5,88 г/см3; С° 92,18 Дж/(моль*К); - 1090 кДж/моль, 519 кДж/моль, 574 кДж/моль; 298 85,1 Дж/(моль*К); 10,2; выше 1200°С частично диссоциирует на Ga2O и О2; ур-ние температурной зависимости давления пара: 1§р(гПа) = 13,66 —

26010/Т (1530-1840 К). Полупроводник n-типа; ширина запрещенной зоны 4,6-4,7 эВ (27 °С). Не раств. в воде и орг. растворителях. С минер. кислотами образует соли Ga, с растворами щелочей - галлаты. После прокаливания выше 600 °С взаимод. только с расплавленными щелочами и гидросульфатами щелочных металлов. При спекании с оксидами или карбонатами др. металлов образует галлаты. Получают Ga2O3 прокаливанием Ga(NO3)3 или Ga(OH)3 при 200-250 °С, затем в течение 12 ч при 600 °С. Применяют его для получения галлиево-гадолиниевого граната и др. соединений Ga. Теми оксид Ga2О-темно-коричневое, серое или черное вещество; т. пл. ок. 650°С, т. кип. ок. 725 °С; плотн. 4,77 г/см3 (20°С); твердого вещества -356 кДж/моль; для газа Сop 48,2 Дж/(моль*К), - 85,9 кДж/моль; So298 284 Дж/(моль*К). Устойчив в сухом воздухе при 20 С, в отсутствие О2 и паров Н2О - до 600 °С. В интервале 700-1000 °С легко диспропорционирует на Ga и Ga2O3, в парах выше 1000°С не днспропорционирует. Ур-ние температурной зависимости давления пара над смесью Ga2O3 с Ga: 1gр(гПа) = 11,90- 13490/Т (1000-1100 К). Ga2O- сильный восстановитель, легко окисляется при нагр.; медленно взаимод. с разб. кислотами, энергично - с концентрированными. М. б. получен нагреванием Ga в атмосфере СО2 или паров Н2О (в присут. Н2), а также восстановлением Ga2O3 галлием с послед. сублимацией в вакууме. Gа2О - промежут. соед. при получении эпитаксиальных пленок GaAs и GaP с помощью хим. транспортных р-ций.

В парах при высоких температурах наблюдался оксид GaO.

Лит. см. при ст. Галлий. П. И. Федоров.




выберите первую букву в названии статьи: А Б В Г Д Е Ж З И К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я


Все новости



Новости компаний

Все новости


© ChemPort.Ru, MMII-MMXVII
Контактная информация