| поиск | 
 | 
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|   ХАРАКТЕРИСТИКА СИЛАНОВ  |  |||||
|   Показатель  |    SiH4  |    Si2H6  |    Si3H8  |    Si4H10  |  |
|   Т. пл., °С  |    -184,67*  |    -131  |    -117,4  |    -84,3  |  |
|   Т. кип., °С  |    -111,9  |    -14,5  |    52,9  |    108  |  |
|   Плота., г/см3  |    0,68 (-185°С)  |    0,686 (-25 °С)  |    0,743 (0°С)  |    0,825 (0°С)  |  |
|   
  |    42,79  |    79,0  |    -  |    —  |  |
|   DНисп, кДж/моль  |    12,41  |    21,3  |    .29,05  |    35,5  |  |
|   
  |    34,7  |    95,76  |    91,75**  |    -  |  |
|   
  |    204,10  |    274,2  |    —  |    —  |  |
|   * DHпл 0,67 кДж/моль. ** Для газа   |  |||||
Характерное свойство С.-их чрезвычайно легкое окисление. Для соед. с п 
3 реакция происходит с сильным взрывом. Моносилан в присутствии О2 окисляется со вспышкой даже при т'-ре жидкого воздуха. В зависимости от условий реакции продуктом окисления является либо SiO2, либо промежут. вещества. С.-хорошие восстановители, они переводят КМnО4 в MnO2, Hg(II) в Hg(I), Fe(III) в Fe(II) и т.д. Др. характерное свойство С.-легкость гидролиза, особенно в щелочной среде, например:
SiH4 + 2Н2О : SiO2 + 4Н2 SiH4 + 2NaOH + Н2О : Na2 SiO3 + 4Н2
Р-ция протекает количественно и может служить для определения С. Под действием щелочи возможно также расщепление связи Si — Si, например:
H3Si—SiH2—SiH3 + 6H2O : 3SiO2 + 10H2
С галогенами С. реагируют со взрывом, при низких температурах образуются галогениды кремния (см. Кремния фториды, Кремния хлориды). С галогеноводородами, ацил- или алкил-галогенидами С. также образуют галогениды Si (кат.-АlСl3 или АlВr3, температура 100-200°С):

С кислородсодержащими соед., например с ацетоном, диэти-ловым эфиром, С. реагируют в газовой фазе при высокой температуре с образованием алкоксисиланов ROSiH3. С алифатич. спиртами в присутствии ионов ОН- (катализатор) С. образуют тетраэфиры.
Получают С. след. способами: 1) разложение силицидов металлов кислотами или щелочами. Часто используют Mg2 Si, который разлагают соляной кислотой в инертной атмосфере. Вероятная схема реакции:
Mg2Si + 2Н2 О : Н2Si(MgOH)2
H2Si(MgOH)2 + 4НСl : 2MgCl2 + 2H2O + H2 + (SiH2)2 (SiH2 )2 + H2О : H2SiO + SiH4
Образующиеся С. разделяют ступенчатой конденсацией, а затем отдельные фракции разгоняют при низкой температуре.
2) Восстановление галогенидов Si гидридом Li или LiAlH4. В среде этанола при нормальной температуре идут, например, след. реакции:
SiCl4 + LiAlH4 : SiH4 + LiCl + A1Cl3 2Si2 Cl6 + 3LiAlH4 : 2Si2 H6 + 3LiСl + 3AlCl3
С LiAlH4 образуются чистые С. с высоким выходом.
3) Восстановление галогенидов Si водородом. Процесс ведут в присутствии галогенидов А1 или же добавляют Аl или Zn как компоненты реакции. SiH4 получают также разложением (C2H5O)3SiH при 20-80°С в присутствии Na. Моносилан-исходное вещество при получении полупроводникового кремния.